檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "GaN".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="郭東昊"
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜，並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…
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The nitride-based material had excellent properties such as high thermal conductivity, high electro…
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Due to the energy crisis, we rush into the solar cell research and development. Fulfillment of ener…
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜，並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體，進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…